英文:Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
GB/T 41325-2022介绍:
国家标准《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司。
主要起草人孙燕 、宁永铎 、钟耕杭 、李洋 、徐新华 、骆红 、杨素心 、李素青 、张海英 、由佰玲 、潘金平 。
GB/T 41325-2022标准状态:
- 发布于2022-03-09
- 实施于2022-10-01
- 废止
GB/T 41325-2022基础信息:
标准号:GB/T 41325-2022
发布日期:2022-03-09
实施日期:2022-10-01
中国标准分类号:H82
国际标准分类号: 29.045
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门:国家标准化管理委员会
GB/T 41325-2022起草单位:
有研半导体硅材料股份公司,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司,有色金属技术经济研究院有限责任公司,中环领先半导体材料有限公司,山东有研半导体材料有限公司,南京国盛电子有限公司,浙江金瑞泓科技股份有限公司,浙江海纳半导体有限公司,
GB/T 41325-2022起草人:
孙燕,宁永铎,徐新华,骆红,张海英,由佰玲,钟耕杭,李洋,杨素心,李素青,潘金平,