七点标准网英文：Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
GB/T 41751-2022介绍：
国家标准《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司。
主要起草人邱永鑫 、徐科 、王建峰 、任国强 、李腾坤 、左洪波 、郑树楠 、刘立娜 、杨鑫宏 、邝光宁 、丁崇灯 、陈友勇 。
GB/T 41751-2022标准状态：
- 发布于2022-10-14
- 实施于2023-02-01
- 废止
GB/T 41751-2022基础信息：
标准号：GB/T 41751-2022
发布日期：2022-10-14
实施日期：2023-02-01
标准类别：方法
中国标准分类号：H21
国际标准分类号： 77.040
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
GB/T 41751-2022起草单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国电子科技集团公司第四十六研究所，厦门柯誉尔科技有限公司，福建兆元光电有限公司，苏州纳维科技有限公司，哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司，山西华晶恒基新材料有限公司，
GB/T 41751-2022起草人：
邱永鑫，徐科，李腾坤，左洪波，杨鑫宏，邝光宁，王建峰，任国强，郑树楠，刘立娜，丁崇灯，陈友勇，