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GB/T 36646-2018制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备国家标准

英文:Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

GB/T 36646-2018介绍:

国家标准《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院。

主要起草人刘鹏 、孙永健 、丁晓民 、冯亚彬 、王健辉 。

GB/T 36646-2018标准状态:

  1. 发布于2018-09-17
  2. 实施于2019-01-01
  3. 废止

GB/T 36646-2018基础信息:

标准号:GB/T 36646-2018

发布日期:2018-09-17

实施日期:2019-01-01

中国标准分类号:L95

国际标准分类号: 31.220

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

GB/T 36646-2018起草单位:

东莞市中镓半导体科技有限公司,中国电子技术标准化研究院,

GB/T 36646-2018起草人:

刘鹏,孙永健,王健辉,丁晓民,冯亚彬,

GB/T 36646-2018查看地址:

【GB/T 36646-2018】

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