英文:Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
GB/T 34481-2017介绍:
国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。
主要起草人惠峰 、普世坤 、董汝昆 。
GB/T 34481-2017标准状态:
- 发布于2017-10-14
- 实施于2018-07-01
- 废止
GB/T 34481-2017基础信息:
标准号:GB/T 34481-2017
发布日期:2017-10-14
实施日期:2018-07-01
中国标准分类号:H25
国际标准分类号: 77.040
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
GB/T 34481-2017起草单位:
云南中科鑫圆晶体材料有限公司,中科院半导体研究所,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司,
GB/T 34481-2017起草人:
惠峰,普世坤,董汝昆,