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GB/T 34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法国家标准

英文:Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

GB/T 34481-2017介绍:

国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。

主要起草人惠峰 、普世坤 、董汝昆 。

GB/T 34481-2017标准状态:

  1. 发布于2017-10-14
  2. 实施于2018-07-01
  3. 废止

GB/T 34481-2017基础信息:

标准号:GB/T 34481-2017

发布日期:2017-10-14

实施日期:2018-07-01

中国标准分类号:H25

国际标准分类号: 77.040

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

GB/T 34481-2017起草单位:

云南中科鑫圆晶体材料有限公司,中科院半导体研究所,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司,

GB/T 34481-2017起草人:

惠峰,普世坤,董汝昆,

GB/T 34481-2017查看地址:

【GB/T 34481-2017】

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