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GB/T 14142-2017硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法国家标准

英文:Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique

GB/T 14142-2017介绍:

国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位南京国盛电子有研公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司。

主要起草人马林宝 、骆红 、杨帆 、刘小青 、陈赫 、张海英 。

GB/T 14142-2017标准状态:

  1. 发布于2017-09-29
  2. 实施于2018-04-01
  3. 废止

GB/T 14142-2017基础信息:

标准号:GB/T 14142-2017

发布日期:2017-09-29

实施日期:2018-04-01

全部代替标准:GB/T 14142-1993

中国标准分类号:H25

国际标准分类号: 77.040

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门:国家标准化管理委员会

GB/T 14142-2017替代以下标准:

全部代替GB/T 14142-1993

GB/T 14142-2017起草单位:

南京国盛电子有研公司,浙江金瑞泓科技股份有限公司,有研半导体材料有限公司,

GB/T 14142-2017起草人:

马林宝,骆红,陈赫,张海英,杨帆,刘小青,

GB/T 14142-2017查看地址:

【GB/T 14142-2017】

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