英文:Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
GB/T 14142-2017介绍:
国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位南京国盛电子有研公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司。
主要起草人马林宝 、骆红 、杨帆 、刘小青 、陈赫 、张海英 。
GB/T 14142-2017标准状态:
- 发布于2017-09-29
- 实施于2018-04-01
- 废止
GB/T 14142-2017基础信息:
标准号:GB/T 14142-2017
发布日期:2017-09-29
实施日期:2018-04-01
全部代替标准:GB/T 14142-1993
中国标准分类号:H25
国际标准分类号: 77.040
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门:国家标准化管理委员会
GB/T 14142-2017替代以下标准:
全部代替GB/T 14142-1993
GB/T 14142-2017起草单位:
南京国盛电子有研公司,浙江金瑞泓科技股份有限公司,有研半导体材料有限公司,
GB/T 14142-2017起草人:
马林宝,骆红,陈赫,张海英,杨帆,刘小青,