英文:Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
GB/T 37051-2018介绍:
国家标准《太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司。
主要起草人李锋 、李英叶 、段青春 、张伟 、吴翠姑 、冯亚彬 、裴会川 、程小娟 、唐骏 。
GB/T 37051-2018标准状态:
- 发布于2018-12-28
- 实施于2019-04-01
- 废止
GB/T 37051-2018基础信息:
标准号:GB/T 37051-2018
发布日期:2018-12-28
实施日期:2019-04-01
中国标准分类号:H80
国际标准分类号: 29.045
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
GB/T 37051-2018起草单位:
英利集团有限公司,江西赛维LDK太阳能高科技有限公司,晋能清洁能源科技有限公司,天津英利新能源有限公司,中国电子技术标准化研究院,泰州中来光电科技有限公司,镇江仁德新能源科技有限公司,
GB/T 37051-2018起草人:
李锋,李英叶,吴翠姑,冯亚彬,唐骏,段青春,张伟,裴会川,程小娟,