GB/T 32651-2016采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法国家标准

英文：Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry

国家标准《采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位国家太阳能光伏产品质量监督检验中心（无锡市产品质量监督检验中心）、江苏中能硅业科技发展有限公司、国家硅材料深加工产品质量监督检验中心、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、中国电子技术标准化研究院。

主要起草人何莉、吴建国、王琴、周滢、刘晓霞、鲁文锋、陈进、封丽娟、李建德、黄雪雯、孙绍武、冯亚彬、裴会川。

标准号：GB/T 32651-2016

发布日期：2016-04-25

实施日期：2016-11-01

标准类别：方法

中国标准分类号：H82

国际标准分类号： 29.045

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

国家太阳能光伏产品质量监督检验中心（无锡市产品质量监督检验中心），国家硅材料深加工产品质量监督检验中心，中国电子技术标准化研究院，江苏中能硅业科技发展有限公司，江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，

何莉，吴建国，刘晓霞，鲁文锋，李建德，黄雪雯，裴会川，王琴，周滢，陈进，封丽娟，孙绍武，冯亚彬，