七点标准网英文：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
GB/T 43493.2-2023介绍：
国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、厦门普诚科技有限公司。
主要起草人芦伟立 、房玉龙 、李佳 、张冉冉 、李丽霞 、杨青 、殷源 、刘立娜 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、宋生 、张永强 、钮应喜 、金向军 、毛开礼 、丁雄杰 、刘薇 、周少丰 、庄建军 、乐卫平 、周翔 、夏俊杰 、陆敏 、郑隆结 、薛联金 。
GB/T 43493.2-2023标准状态：
- 发布于2023-12-28
- 实施于2024-07-01
- 废止
GB/T 43493.2-2023基础信息：
标准号：GB/T 43493.2-2023
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
标准类别：方法
中国标准分类号：L90
国际标准分类号： 31.080.99
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门：国家标准化管理委员会
GB/T 43493.2-2023采标情况：
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-2:2019。
采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法。
GB/T 43493.2-2023起草单位：
河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所），中国电子科技集团公司第四十六研究所，山东天岳先进科技股份有限公司，中国科学院半导体研究所，山西烁科晶体有限公司，深圳市星汉激光科技股份有限公司，深圳市恒运昌真空技术有限公司，深圳超盈智能科技有限公司，厦门柯尔自动化设备有限公司，之江实验室，浙江大学，河北普兴电子科技股份有限公司，中电化合物半导体有限公司，广东天域半导体股份有限公司，常州银河世纪微电子股份有限公司，深圳市鹰眼在线电子科技有限公司，常州臻晶半导体有限公司，厦门普诚科技有限公司，
GB/T 43493.2-2023起草人：
芦伟立， 房玉龙， 李丽霞， 杨青， 张建锋， 李振廷， 张永强， 钮应喜， 丁雄杰， 刘薇， 乐卫平， 周翔， 郑隆结， 薛联金， 李佳，张冉冉，殷源，刘立娜，徐晨，宋生，金向军，毛开礼，周少丰，庄建军，夏俊杰，陆敏，