七点标准网英文：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
GB/T 43493.3-2023介绍：
国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司。
主要起草人芦伟立 、房玉龙 、李佳 、殷源 、丁雄杰 、张冉冉 、王健 、李丽霞 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、杨青 、刘立娜 、杨世兴 、马康夫 、钮应喜 、金向军 、尹志鹏 、刘薇 、陆敏 、周少丰 、林志阳 。
GB/T 43493.3-2023标准状态：
- 发布于2023-12-28
- 实施于2024-07-01
- 废止
GB/T 43493.3-2023基础信息：
标准号：GB/T 43493.3-2023
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
标准类别：方法
中国标准分类号：L90
国际标准分类号： 31.080.99
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门：国家标准化管理委员会
GB/T 43493.3-2023采标情况：
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-3:2020。
采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法。
GB/T 43493.3-2023起草单位：
河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所），广东天域半导体股份有限公司，浙江大学，山西烁科晶体有限公司，中电化合物半导体有限公司，常州臻晶半导体有限公司，厦门特仪科技有限公司，之江实验室，中国电子科技集团公司第四十六研究所，山东天岳先进科技股份有限公司，中国科学院半导体研究所，河北普兴电子科技股份有限公司，深圳市星汉激光科技股份有限公司，
GB/T 43493.3-2023起草人：
芦伟立， 房玉龙， 丁雄杰， 张冉冉， 张建锋， 李振廷， 刘立娜， 杨世兴， 金向军， 尹志鹏， 周少丰， 林志阳， 李佳，殷源，王健，李丽霞，徐晨，杨青，马康夫，钮应喜，刘薇，陆敏，