GB/T 34900-2017微机电系统（MEMS）技术基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法国家标准

英文：Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer

GB/T 34900-2017介绍：

国家标准《微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所。

主要起草人郭彤 、胡晓东 、李海斌 、于振毅 、裘安萍 、程红兵 、崔波 、朱悦 。

GB/T 34900-2017标准状态：

1. 发布于2017-11-01
2. 实施于2018-05-01
3. 废止

GB/T 34900-2017基础信息：

标准号：GB/T 34900-2017

发布日期：2017-11-01

实施日期：2018-05-01

中国标准分类号：L55

国际标准分类号： 31.200

归口单位：全国微机电技术标准化技术委员会

执行单位：全国微机电技术标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

GB/T 34900-2017起草单位：

天津大学，国家仪器仪表元器件质量监督检验中心，中国电子科技集团公司第十三研究所，中机生产力促进中心，南京理工大学，

GB/T 34900-2017起草人：

郭彤，胡晓东，裘安萍，程红兵，李海斌，于振毅，崔波，朱悦，

GB/T 34900-2017查看地址：

【GB/T 34900-2017】