七点标准网英文：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
GB/T 41853-2022介绍：
国家标准《半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司。
主要起草人李倩 、王伟强 、顾枫 、李根梓 、翟晓飞 、何凯旋 、田松杰 、刘建生 、崔波 、武斌 、汪蔚 、高峰 、王冲 。
GB/T 41853-2022标准状态：
- 发布于2022-10-12
- 实施于2022-10-12
- 废止
GB/T 41853-2022基础信息：
标准号：GB/T 41853-2022
发布日期：2022-10-12
实施日期：2022-10-12
标准类别：方法
中国标准分类号：L55
国际标准分类号： 31.080.99
归口单位：全国微机电技术标准化技术委员会
执行单位：全国微机电技术标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
GB/T 41853-2022采标情况：
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62047-9:2011。
采标中文名称:半导体器件 微机电器件 第9部分：MEMS的晶圆间键合强度测量。
GB/T 41853-2022起草单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所，中机生产力促进中心有限公司，杭州左蓝微电子技术有限公司，明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司，河北美泰电子科技有限公司，华东光电集成器件研究所，深圳市美思先端电子有限公司，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
GB/T 41853-2022起草人：
李倩，王伟强，翟晓飞，何凯旋，崔波，武斌，王冲，顾枫，李根梓，田松杰，刘建生，汪蔚，高峰，