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GB/T 36474-2018半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)测试方法国家标准

英文:Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

GB/T 36474-2018介绍:

国家标准《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口上报,TC78SC2(全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会)执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。

主要起草单位中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司。

主要起草人孔宪伟 、殷梦迪 、尹萍 、巨鹏锦 、高专 、刘建明 。

GB/T 36474-2018标准状态:

  1. 发布于2018-06-07
  2. 实施于2019-01-01
  3. 废止

GB/T 36474-2018基础信息:

标准号:GB/T 36474-2018

发布日期:2018-06-07

实施日期:2019-01-01

中国标准分类号:L56

国际标准分类号: 31.200

归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会

执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会

主管部门:工业和信息化部(电子)

GB/T 36474-2018起草单位:

中国电子技术标准化研究院,上海高性能集成电路设计中心,成都华微电子科技有限公司,西安紫光国芯半导体有限公司,武汉芯动科技有限公司,

GB/T 36474-2018起草人:

孔宪伟,殷梦迪,高专,刘建明,尹萍,巨鹏锦,

GB/T 36474-2018查看地址:

【GB/T 36474-2018】

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文章名称:《GB/T 36474-2018半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)测试方法国家标准》
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