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GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法标准

英文:Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide

GB/T 8760-2020介绍:

国家标准《砷化镓单晶位错密度的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司。

主要起草人赵敬平 、林泉 、于洪国 、惠峰 、刘淑凤 、姚康 、许所成 、许兴 、马英俊 、王彤涵 、赵素晓 、韦圣林 、陈晶晶 、付萍 。

GB/T 8760-2020标准状态:

  1. 发布于2020-09-29
  2. 实施于2021-08-01
  3. 废止

GB/T 8760-2020基础信息:

标准号:GB/T 8760-2020

发布日期:2020-09-29

实施日期:2021-08-01

全部代替标准:GB/T 8760-2006

中国标准分类号:H21

国际标准分类号: 77.040

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门:国家标准化管理委员会

GB/T 8760-2020替代以下标准:

全部代替GB/T 8760-2006

GB/T 8760-2020起草单位:

有研光电新材料有限责任公司,国合通用测试评价认证股份公司,广东先导稀材股份有限公司,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司,中国电子科技集团第四十六研究所,雅波拓(福建)新材料有限公司,

GB/T 8760-2020起草人:

赵敬平,林泉,刘淑凤,姚康,马英俊,王彤涵,陈晶晶,付萍,于洪国,惠峰,许所成,许兴,赵素晓,韦圣林,

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文章名称:《GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法标准》
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